مشخصات فناوری QS8J4TR
مشخصات فنی Rohm Semiconductor - QS8J4TR ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Rohm Semiconductor - QS8J4TR
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | LAPIS Technology | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 1mA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TSMT8 | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 56mOhm @ 4A, 10V | |
| قدرت - حداکثر | 550mW | |
| بسته بندی / مورد | 8-SMD, Flat Lead | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 800pF @ 10V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 13nC @ 10V | |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 4A | |
| پیکر بندی | 2 P-Channel (Dual) | |
| شماره محصول پایه | QS8J4 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Rohm Semiconductor QS8J4TR دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | QS8J4TR | QS8K2TR | QS8J2TR | QS8K13TCR |
| سازنده | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 56mOhm @ 4A, 10V | 54mOhm @ 3.5A, 4.5V | 36mOhm @ 4A, 4.5V | 28mOhm @ 6A, 10V |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| پیکر بندی | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 1mA | 1.5V @ 1mA | 1V @ 1mA | 2.5V @ 1mA |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 800pF @ 10V | 285pF @ 10V | 1940pF @ 6V | 390pF @ 10V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 4A | 3.5A | 4A | 6A |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate, 1.5V Drive | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 13nC @ 10V | 4.6nC @ 4.5V | 20nC @ 4.5V | 20nC @ 10V |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| قدرت - حداکثر | 550mW | 1.25W | 550mW | 550mW |
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| شماره محصول پایه | QS8J4 | QS8K2 | QS8J2 | QS8K13 |
| کننده بسته بندی دستگاه | TSMT8 | TSMT8 | TSMT8 | TSMT8 |
| سلسله | - | - | - | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| بسته بندی / مورد | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead | 8-SMD, Flat Lead |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30V | 30V | 12V | 30V |
بارگیری داده های QS8J4TR PDF و مستندات Rohm Semiconductor را برای QS8J4TR - Rohm Semiconductor بارگیری کنید.
QS8M13 TCRLAPIS TechnologyQS8M11ALAPIS TechnologyQS8K11LAPIS TechnologyQS8K2TRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8QS8J12LAPIS TechnologyQS8J2TRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8QS8M11AZETCRLAPIS TechnologyQS8J2FU7TRLAPIS TechnologyQS8J13LAPIS TechnologyQS8K13TCRRohm SemiconductorMOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8QS8M1 TLLAPIS Technology
QS8B01IRC / TT ElectronicsQS8M11A TCRLAPIS TechnologyQS8F2TCRRohm SemiconductorMOSFET/TRANS P-CH/PNP TSMT8QS8J13TRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8QS8J12TCRRohm SemiconductorMOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8QS8AHR032002BAIRC / TT ElectronicsQS8K11TCRRohm Semiconductor4V DRIVE NCH+NCH MOSFET| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.