مشخصات فناوری LM358WDT
مشخصات فنی Rohm Semiconductor - LM358WDT ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Rohm Semiconductor - LM358WDT
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | LAPIS Technology | |
| ولتاژ - دهانه عرضه (دقیقه) | 3 V | |
| ولتاژ - دهانه تأمین (حداکثر) | 32 V | |
| ولتاژ ورودی - افست | 1 mV | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOP-J | |
| کشت نرخ | 0.3V/µs | |
| سلسله | - | |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | |
| نوع خروجی | - |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -40°C ~ 85°C | |
| تعدادی از مدارهای | 2 | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| به دست آوردن پهنای باند محصولات | 1.1 MHz | |
| کنونی - تامین | 600µA | |
| در حال حاضر - خروجی / کانال | 40 mA | |
| در حال حاضر - بایاس ورودی | 20 nA | |
| شماره محصول پایه | LM358 | |
| نوع تقویت کننده | General Purpose |
| صفت | شرح |
|---|---|
| وضعیت RoHs | |
| سطح حساسیت رطوبت (MSL) | 1 (Unlimited) |
| وضعیت رسیدن | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Rohm Semiconductor LM358WDT دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | LM358WDT | LM358ST | LM358WPT | LM358WST |
| سازنده | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | STMicroelectronics |
| به دست آوردن پهنای باند محصولات | 1.1 MHz | 800 kHz | 800 kHz | 1.1 MHz |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| در حال حاضر - خروجی / کانال | 40 mA | 40 mA | 30 mA | 40 mA |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ولتاژ - دهانه عرضه (دقیقه) | 3 V | 3 V | 3 V | 3 V |
| نوع خروجی | - | - | - | - |
| ولتاژ ورودی - افست | 1 mV | 1 mV | 1 mV | 2 mV |
| نوع تقویت کننده | General Purpose | General Purpose | General Purpose | General Purpose |
| سلسله | - | - | - | Automotive, AEC-Q100 |
| دمای عملیاتی | -40°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C | -40°C ~ 85°C | 0°C ~ 70°C |
| شماره محصول پایه | LM358 | LM358 | LM358 | LM358 |
| کشت نرخ | 0.3V/µs | 0.3V/µs | 0.3V/µs | 0.6V/µs |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| کنونی - تامین | 600µA | 600µA | 600µA | 700µA |
| تعدادی از مدارهای | 2 | 2 | 2 | 2 |
| ولتاژ - دهانه تأمین (حداکثر) | 32 V | 32 V | 32 V | 30 V |
| در حال حاضر - بایاس ورودی | 20 nA | 20 nA | 20 nA | 20 nA |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SOP-J | 8-TSSOP-B | 8-TSSOP-B | 8-MiniSO |
بارگیری داده های LM358WDT PDF و مستندات Rohm Semiconductor را برای LM358WDT - Rohm Semiconductor بارگیری کنید.
LM358STRohm SemiconductorIC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8TSSOP
LM358SNGONsemi
LM358SEGT
LM3590MFXTexas InstrumentsLM358WPTRohm SemiconductorIC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8TSSOPLM358ZTexas InstrumentsLM358WSTSTMicroelectronicsIC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8MINISOLM358SNAMI Semiconductor/onsemi
LM358YDTSTMicroelectronicsIC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
LM358WNSTMicroelectronics
LM358S-13Diodes IncorporatedIC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOLM358TPX/NOPBTexas InstrumentsLM358TPX/NOPB BGANS
LM359MTexas InstrumentsIC OPAMP GP 2 CIRCUIT 14SOICLM3590MFNSLM358TPXTexas InstrumentsIC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DSBGALM358WDTSTMicroelectronicsIC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOICLM358STSTMicroelectronicsIC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8MINISO| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ لطفاً را به سبد خرید اضافه کنید ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.