مشخصات فناوری 2SK2103T100
مشخصات فنی Rohm Semiconductor - 2SK2103T100 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Rohm Semiconductor - 2SK2103T100
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | LAPIS Technology | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 1mA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | MPT3 | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 400mOhm @ 1A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 500mW (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | TO-243AA | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 230 pF @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4V, 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 2A (Ta) | |
| شماره محصول پایه | 2SK2103 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Rohm Semiconductor 2SK2103T100 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | 2SK2103T100 | 2SK2109-T1-AZ | 2SK2109-T1 | 2SK2101-01MR |
| سازنده | Rohm Semiconductor | Renesas | Renesas Electronics Corporation | Fujitsu Electronics America, Inc. |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| دمای عملیاتی | 150°C (TJ) | 150°C | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | - | - |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Bulk | - | - |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 230 pF @ 10 V | 111 pF @ 10 V | - | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| بسته بندی / مورد | TO-243AA | TO-243AA | - | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 2A (Ta) | 500mA (Ta) | - | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | 60 V | - | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 1mA | 2V @ 1mA | - | - |
| شماره محصول پایه | 2SK2103 | - | - | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 400mOhm @ 1A, 10V | 800mOhm @ 300mA, 10V | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | MPT3 | SC-62 | - | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4V, 10V | 4V, 10V | - | - |
| سلسله | - | - | - | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 500mW (Ta) | 2W (Ta) | - | - |
بارگیری داده های 2SK2103T100 PDF و مستندات Rohm Semiconductor را برای 2SK2103T100 - Rohm Semiconductor بارگیری کنید.
2SK2109-T1Renesas Electronics Corporation2SK2101-01MRFujitsu Electronics America, Inc.2SK2101 K2101FUJI
2SK211-GR MOSTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
2SK2103LAPIS Technology2SK2099-01S-TB16RFujitsu Electronics America, Inc.2SK210-GR MOSTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora2SK211-GRTOHSIBA2SK2107 MOSTOSHIB2SK209GRTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora2SK211-0TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora2SK2109-T1-AZRenesas2SK2109-T1-AZ - N-CHANNEL MOS FE2SK210-BL YLTAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora2SK2109NEC2SK2107TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora2SK2101FUJI2SK211TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora2SK2103 T100LAPIS Technology| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.