مشخصات فناوری IXTH50N25T
مشخصات فنی IXYS - IXTH50N25T ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه IXYS - IXTH50N25T
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | IXYS Corporation | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 1mA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-247 (IXTH) | |
| سلسله | Trench | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 60mOhm @ 25A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 400W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-247-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 4000 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 78 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 250 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 50A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | IXTH50 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با IXYS IXTH50N25T دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IXTH50N25T | IXTH52N65X | IXTH450P2 | IXTH48P20P |
| سازنده | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 50A (Tc) | 52A (Tc) | 16A (Tc) | 48A (Tc) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 60mOhm @ 25A, 10V | 68mOhm @ 26A, 10V | 330mOhm @ 8A, 10V | 85mOhm @ 500mA, 10V |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| شماره محصول پایه | IXTH50 | IXTH52 | IXTH450 | IXTH48 |
| سلسله | Trench | Ultra X | PolarP2™ | PolarP™ |
| بسته بندی / مورد | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 400W (Tc) | 660W (Tc) | 300W (Tc) | 462W (Tc) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 1mA | 5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 4000 pF @ 25 V | 4350 pF @ 25 V | 2530 pF @ 25 V | 5400 pF @ 25 V |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 78 nC @ 10 V | 113 nC @ 10 V | 43 nC @ 10 V | 103 nC @ 10 V |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±30V | ±30V | ±20V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 250 V | 650 V | 500 V | 200 V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
بارگیری داده های IXTH50N25T PDF و مستندات IXYS را برای IXTH50N25T - IXYS بارگیری کنید.
IXTH52N65XIXYSMOSFET N-CH 650V 52A TO247IXTH450P2IXYSMOSFET N-CH 500V 16A TO247IXTH48P20PIXYSMOSFET P-CH 200V 48A TO247IXTH41N25IXYSMOSFET N-CH 250V 41A TO247IXTH4N150IXYSMOSFET N-CH 1500V 4A TO247IXTH50P085IXYSMOSFET P-CH 85V 50A TO247IXTH50N20IXYSMOSFET N-CH 200V 50A TO247IXTH60N20L2IXYSMOSFET N-CH 200V 60A TO247IXTH460P2IXYSMOSFET N-CH 500V 24A TO247IXTH60N15IXYSMOSFET N-CH 150V 60A TO247IXTH5N100AIXYSMOSFET N-CH 1000V 5A TO247
IXTH50N20 CMH82N25 MOSIXYS / LittelfuseIXTH48N20IXYSMOSFET N-CH 200V 48A TO247IXTH60N25IXYSMOSFET N-CH 250V 60A TO247IXTH60N10IXYSMOSFET N-CH 100V 60A TO247IXTH50P10IXYSMOSFET P-CH 100V 50A TO247IXTH50N30IXYSMOSFET N-CH 300V 50A TO247IXTH48N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 48A TO247| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.