مشخصات فناوری IXKH47N60C
مشخصات فنی IXYS - IXKH47N60C ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه IXYS - IXKH47N60C
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | IXYS Corporation | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 2mA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-247AD | |
| سلسله | CoolMOS™ | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 70mOhm @ 30A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | - | |
| بسته بندی / مورد | TO-247-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 650 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 47A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | IXKH47 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با IXYS IXKH47N60C دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IXKH47N60C | IXKG25N80C | IXKR25N80C | IXKR40N60C |
| سازنده | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| سلسله | CoolMOS™ | CoolMOS™ | CoolMOS™ | CoolMOS™ |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 47A (Tc) | 25A (Tc) | 25A (Tc) | 38A (Tc) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 70mOhm @ 30A, 10V | 150mOhm @ 9A, 10V | 150mOhm @ 18A, 10V | 70mOhm @ 25A, 10V |
| شماره محصول پایه | IXKH47 | IXKG25 | IXKR25 | IXKR40 |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 2mA | 4V @ 2mA | 4V @ 2mA | 3.9V @ 3mA |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| بسته بندی / مورد | TO-247-3 | TO-264-3, TO-264AA | TO-247-3 | TO-247-3 |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-247AD | ISO264™ | ISOPLUS247™ | ISOPLUS247™ |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 600 V | 800 V | 800 V | 600 V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | - | 250W (Tc) | - | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 650 nC @ 10 V | 166 nC @ 10 V | 355 nC @ 10 V | 250 nC @ 10 V |
بارگیری داده های IXKH47N60C PDF و مستندات IXYS را برای IXKH47N60C - IXYS بارگیری کنید.
IXKG25N80CIXYSMOSFET N-CH 800V 25A ISO264IXKR25N80CIXYSMOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247IXKR40N60CIXYSMOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247IXKK85N60CIXYSMOSFET N-CH 600V 85A TO264A
DMP2069UFY4-7Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 20V 2.5A DFN2015H4-3IXKH70N60C5IXYSMOSFET N-CH 600V 70A TO247ADIXKN45N80CIXYSMOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
FDD86581-F085onsemiMOSFET N-CH 60V 25A DPAKIXKH24N60C5IXYSMOSFET N-CH 600V 24A TO247AD
BSZ0910LSATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSONIXKH20N60C5IXYSMOSFET N-CH 600V 20A TO247ADIXKN75N60CIXYSMOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B
IRF7521D1TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8
STP80NE06-10STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
AUIRFS6535TRLInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 300V 19A D2PAKIXKH30N60C5IXYSMOSFET N-CH 600V 30A TO247ADIXKR47N60C5IXYSMOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247
FDP045N10AonsemiMOSFET N-CH 100V 120A TO220-3| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.