مشخصات فناوری IXFH40N50Q2
مشخصات فنی IXYS - IXFH40N50Q2 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه IXYS - IXFH40N50Q2
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | IXYS Corporation | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4.5V @ 4mA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-247AD (IXFH) | |
| سلسله | HiPerFET™ | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 160mOhm @ 500mA, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 560W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-247-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 4850 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 110 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 500 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 40A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | IXFH40 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با IXYS IXFH40N50Q2 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IXFH40N50Q2 | IXFH36N55Q | IXFH40N85X | IXFH46N65X2 |
| سازنده | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| سلسله | HiPerFET™ | HiPerFET™, Q Class | HiPerFET™, Ultra X | HiPerFET™, Ultra X2 |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 560W (Tc) | 500W (Tc) | 860W (Tc) | 660W (Tc) |
| شماره محصول پایه | IXFH40 | IXFH36 | IXFH40 | IXFH46 |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4.5V @ 4mA | 4.5V @ 4mA | 5.5V @ 4mA | 5.5V @ 4mA |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-247AD (IXFH) | TO-247AD (IXFH) | TO-247 | TO-247 (IXTH) |
| بسته بندی / مورد | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 110 nC @ 10 V | 128 nC @ 10 V | 98 nC @ 10 V | 75 nC @ 10 V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 160mOhm @ 500mA, 10V | 160mOhm @ 500mA, 10V | 145mOhm @ 500mA, 10V | 76mOhm @ 23A, 10V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 500 V | 550 V | 850 V | 650 V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 40A (Tc) | 36A (Tc) | 40A (Tc) | 46A (Tc) |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 4850 pF @ 25 V | 4500 pF @ 25 V | 3700 pF @ 25 V | 4810 pF @ 25 V |
بارگیری داده های IXFH40N50Q2 PDF و مستندات IXYS را برای IXFH40N50Q2 - IXYS بارگیری کنید.
IXFH36N55QIXYSMOSFET N-CH 550V 36A TO247ADIXFH40N85XIXYSMOSFET N-CH 850V 40A TO247IXFH46N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 46A TO247IXFH34N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 34A TO247IXFH46N30TIXYSMOSFET N-CH 300V 46A TO247IXFH40N30IXYSMOSFET N-CH 300V 40A TO247ADIXFH40N60IXYS / LittelfuseIXFH44N50P MOSIXYS / LittelfuseIXFH42N50P2IXYSMOSFET N-CH 500V 42A TO247ADIXFH400N075T2IXYSMOSFET N-CH 75V 400A TO247ADIXFH44N30IXYS / LittelfuseIXFH44N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 44A TO247ADIXFH42N20IXYSMOSFET N-CH 200V 42A TO247ADIXFH36N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 36A TO247ADIXFH40N30Q MOSIXYS / LittelfuseIXFH34N50P3IXYSMOSFET N-CH 500V 34A TO247ADIXFH40N30QIXYSMOSFET N-CH 300V 40A TO247ADIXFH35N30IXYSMOSFET N-CH 300V 35A TO247AD| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.