مشخصات فناوری IRFR9110
مشخصات فنی Harris Corporation - IRFR9110 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Harris Corporation - IRFR9110
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Harris Corporation | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | D-PAK (TO-252AA) | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 1.2Ohm @ 1.9A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| بسته بندی کردن | Bulk | |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 200 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 8.7 nC @ 10 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 3.1A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Harris Corporation IRFR9110 دارند.
| ویژگی محصول | |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRFR9110 | IRFR9024NTRPBF | IRFR9110TR | IRFR9110PBF |
| سازنده | Harris Corporation | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 1.2Ohm @ 1.9A, 10V | 175mOhm @ 6.6A, 10V | 1.2Ohm @ 1.9A, 10V | 1.2Ohm @ 1.9A, 10V |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 8.7 nC @ 10 V | 19 nC @ 10 V | 8.7 nC @ 10 V | 8.7 nC @ 10 V |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 3.1A (Tc) | 11A (Tc) | 3.1A (Tc) | 3.1A (Tc) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| نوع FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | 38W (Tc) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 100 V | 55 V | 100 V | 100 V |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| بسته بندی / مورد | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 200 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V | 200 pF @ 25 V | 200 pF @ 25 V |
| سلسله | - | HEXFET® | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | D-PAK (TO-252AA) | D-Pak | D-Pak | D-Pak |
IRFR9024TMFairchild (onsemi)IRFR9024NTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 11A DPAKIRFR9024NTR MOSIRIRFR9034TRPBFIR
IRFR9024NTRPBCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFR9024TRPBF MOSIRIRFR9110 MOSFairchild (onsemi)IRFR9110TRVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 3.1A DPAKIRFR9110TF MOSFairchild (onsemi)IRFR9024NTRPBF/SOT-252IRIRFR9110PBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 3.1A DPAKIRFR9110TFFairchild Semiconductor100V P-CHANNEL MOSFET
IRFR9110NTRPBFElectro-Films (EFI) / VishayIRFR9024TRPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 8.8A DPAKIRFR9110Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 3.1A DPAKIRFR9110TRLVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 3.1A DPAKIRFR9110TRLPBFVishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 3.1A DPAKIRFR9024TRVishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.