مشخصات فناوری FDS2170N3
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - FDS2170N3 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - FDS2170N3
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4.5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SO | |
| سلسله | PowerTrench® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 128mOhm @ 3A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 3W (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1292 pF @ 100 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 36 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor FDS2170N3 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FDS2170N3 | FDS2070N3 | FDS2070N7 | FDS2170N7 |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| بسته بندی کردن | Bulk | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | 150 V | 150 V | 200 V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 250µA |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 128mOhm @ 3A, 10V | 78mOhm @ 4.1A, 10V | 78mOhm @ 4.1A, 10V | 128mOhm @ 3A, 10V |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 36 nC @ 10 V | 53 nC @ 10 V | 53 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO FLMP |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 6V, 10V | 6V, 10V | 10V |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 3W (Ta) | 3W (Ta) | 3W (Ta) | 3W (Ta) |
| سلسله | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1292 pF @ 100 V | 1884 pF @ 75 V | 1884 pF @ 75 V | 1292 pF @ 100 V |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 3A (Ta) | 4.1A (Ta) | 4.1A (Ta) | 3A (Ta) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
FDS2570-NLFairchild (onsemi)FDS100GA60IGBTIGBT ModuleFDS2070N3Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOFDS2070N7Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOFDS2512FDS2170N7onsemiMOSFET N-CH 200V 3A 8SOICFDS193FIRST SILICONFDS2572Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FDS100CA120SanRex CorporationDIODE MODULE 1200V 100AFDS2170N3onsemiMOSFET N-CH 200V 3A 8SOICFDS2170N7.Fairchild (onsemi)FDS160FIRSTSILICONFDS2570Fairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDS2170N7Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 200V 3A 8SOICFDS2070N3onsemiMOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOFDS2070N3 MOSFairchild (onsemi)FDS2070N7onsemiMOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOFDS2170N3 MOSFairchild (onsemi)| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.