مشخصات فناوری FDM2509NZ
مشخصات فنی Fairchild Semiconductor - FDM2509NZ ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Fairchild Semiconductor - FDM2509NZ
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Fairchild (onsemi) | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.5V @ 250µA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | MicroFET 2x2 Thin | |
| سلسله | PowerTrench® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 18mOhm @ 8.7A, 4.5V | |
| قدرت - حداکثر | 800mW | |
| بسته بندی / مورد | 6-UDFN Exposed Pad | |
| بسته بندی کردن | Bulk |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1200pF @ 10V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 17nC @ 4.5V | |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 8.7A | |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Dual) | |
| شماره محصول پایه | FDM2509 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Fairchild Semiconductor FDM2509NZ دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FDM2509NZ | FDM2509NZ | FDM2452NZ | FDM3300NZ |
| سازنده | Fairchild Semiconductor | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| شماره محصول پایه | FDM2509 | FDM2509 | FDM2452 | FDM3300 |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 20V | 20V | 30V | 20V |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| سلسله | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 18mOhm @ 8.7A, 4.5V | 18mOhm @ 8.7A, 4.5V | 21mOhm @ 8.1A, 4.5V | 23mOhm @ 10A, 4.5V |
| بسته بندی / مورد | 6-UDFN Exposed Pad | 6-UDFN Exposed Pad | 6-WFDFN Exposed Pad | 8-PowerVDFN |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| بسته بندی کردن | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| قدرت - حداکثر | 800mW | 800mW | 800mW (Ta) | 900mW |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1200pF @ 10V | 1200pF @ 10V | 980pF @ 15V | 1610pF @ 10V |
| کننده بسته بندی دستگاه | MicroFET 2x2 Thin | MicroFET 2x2 Thin | 6-MLP (2x5) | Power33 |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 17nC @ 4.5V | 17nC @ 4.5V | 19nC @ 4.5V | 17nC @ 4.5V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 2 N-Channel (Dual) |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 8.7A | 8.7A | 8.1A (Ta) | 10A |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
FDM606P-NLFairchild (onsemi)
FDM3622onsemiMOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLPFDM3622 MOSFairchild (onsemi)FDM2509NZonsemiMOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLPFDM6296onsemiMOSFET N-CH 30V 11.5A 8POWER33FDM6296(30V/11.5A)Fairchild (onsemi)FDM606PFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLPFDM0306SFairchild (onsemi)FDMA0104onsemiMOSFET N-CH 20V 9.4A 6MICROFETFDM6296 MOSFairchild (onsemi)FDM3622NZFairchild (onsemi)FDM2452NZFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFETFDM606PonsemiMOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLPFDM3300NZFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDM3622Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4FDM3300NZ MOSFairchild (onsemi)FDMA0100Fairchild (onsemi)FDM3300NZonsemiMOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.