مشخصات فناوری 2N7002VC-7
مشخصات فنی Diodes Incorporated - 2N7002VC-7 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Diodes Incorporated - 2N7002VC-7
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Diodes Incorporated | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 250µA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | SOT-563 | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 7.5Ohm @ 50mA, 5V | |
| قدرت - حداکثر | 150mW | |
| بسته بندی / مورد | SOT-563, SOT-666 | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 50pF @ 25V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | - | |
| FET ویژگی | - | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 280mA | |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Dual) | |
| شماره محصول پایه | 2N7002 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Diodes Incorporated 2N7002VC-7 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | 2N7002VC-7 | 2N7002V | 2N7002V-7 | 2N7002V |
| سازنده | Diodes Incorporated | onsemi | Diodes Incorporated | Fairchild Semiconductor |
| کننده بسته بندی دستگاه | SOT-563 | SOT-563F | SOT-563 | SOT-563F |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 7.5Ohm @ 50mA, 5V | 7.5Ohm @ 50mA, 5V | 7.5Ohm @ 50mA, 5V | 7.5Ohm @ 50mA, 5V |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| شماره محصول پایه | 2N7002 | 2N7002 | 2N7002 | 2N7002 |
| FET ویژگی | - | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| سلسله | - | - | - | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| بسته بندی / مورد | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 280mA | 280mA | 280mA | 280mA |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 50pF @ 25V | 50pF @ 25V | 50pF @ 25V | 50pF @ 25V |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | - | - | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| قدرت - حداکثر | 150mW | 250mW | 150mW | 250mW |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60V | 60V | 60V | 60V |
بارگیری داده های 2N7002VC-7 PDF و مستندات Diodes Incorporated را برای 2N7002VC-7 - Diodes Incorporated بارگیری کنید.
2N7002VonsemiMOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT563F
2N7002WYangjie TechnologySOT-323 N 60V 0.34A Transistors
2N7002W MOSDiodes Incorporated2N7002V-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-5632N7002VA-13Diodes Incorporated
2N7002W-7-FDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 115MA SOT3232N7002W T/RPANJIT
2N7002WonsemiMOSFET N-CH 60V 310MA SC702N7002VFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI2N7002W-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 60V 115MA SOT-3232N7002WFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI2N7002VAC-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-5632N7002VA-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-5632N7002VAC-7-FDiodes Incorporated2N7002WDiotec SemiconductorMOSFET, SOT-323, 60V, 0.115A, N,2N7002VAonsemiMOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT563F2N7002VAFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI2N7002W K72CJ| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.