مشخصات فناوری SDT10S30
مشخصات فنی Infineon Technologies - SDT10S30 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - SDT10S30
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 1.7 V @ 10 A | |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 300 V | |
| تکنولوژی | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO220-2-2 | |
| سرعت | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| سلسله | CoolSiC™+ | |
| معکوس بازیابی زمان (TRR) | 0 ns |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| بسته بندی / مورد | TO-220-2 | |
| بسته بندی کردن | Tube | |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -55°C ~ 175°C | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 200 µA @ 300 V | |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) | 10A | |
| خازن @ VR، F | 600pF @ 0V, 1MHz | |
| شماره محصول پایه | SDT10S |
| صفت | شرح |
|---|---|
| وضعیت RoHs | |
| سطح حساسیت رطوبت (MSL) | 1 (Unlimited) |
| وضعیت رسیدن | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies SDT10S30 دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | SDT10S30 | SDT12S60 | SDT10A100P5-7 | SDT10A45P5-13 |
| سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| خازن @ VR، F | 600pF @ 0V, 1MHz | 450pF @ 1V, 1MHz | - | - |
| سرعت | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| شماره محصول پایه | SDT10S | SDT12S | SDT10 | SDT10 |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 1.7 V @ 10 A | 1.7 V @ 12 A | 680 mV @ 10 A | 470 mV @ 10 A |
| بسته بندی / مورد | TO-220-2 | TO-220-2 | PowerDI™ 5 | PowerDI™ 5 |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) | 10A | 12A | 10A | 10A |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 200 µA @ 300 V | 400 µA @ 600 V | 100 µA @ 100 V | 300 µA @ 45 V |
| سلسله | CoolSiC™+ | CoolSiC™+ | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | PG-TO220-2-2 | PG-TO220-2-2 | PowerDI™ 5 | PowerDI™ 5 |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 300 V | 600 V | 100 V | 45 V |
| تکنولوژی | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Schottky | Schottky |
| معکوس بازیابی زمان (TRR) | 0 ns | 0 ns | - | - |
بارگیری داده های SDT10S30 PDF و مستندات Infineon Technologies را برای SDT10S30 - Infineon Technologies بارگیری کنید.
SDT12DAUKSDT12SAUKSDT12S60Infineon TechnologiesDIODE SIL CARB 600V 12A TO220-2SDT116GK08SIRECTIFIERIGBT Module
SDT10100CTFPDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTT 100V TO220ABSDT10A100CDiodes IncorporatedSDT10A100P5-7Diodes IncorporatedDIODE SCHOTKY 100V 10A PDI5 1.5K
SDT10100CTDiodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOT 100V TO220ABSDT100GK20SIRECTIFIERIGBT ModuleSDT116GK12SIRECTIFIERIGBT ModuleSDT10A45P5-13Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 45V 10A POWERDI5SDT12SFAUKSDT100GK18SIRECTIFIERIGBT ModuleSDT116GK14SIRECTIFIERIGBT ModuleSDT116GK18SIRECTIFIERIGBT ModuleSDT130GK12SIRECTIFIERIGBT ModuleSDT10A45P5Diodes IncorporatedSDT10A100CTDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 100V 5A TO220AB| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ لطفاً را به سبد خرید اضافه کنید ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.