مشخصات فناوری IRFB3004GPBF
مشخصات فنی Infineon Technologies - IRFB3004GPBF ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IRFB3004GPBF
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220AB | |
| سلسله | HEXFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 1.75mOhm @ 195A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 380W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 9200 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 240 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 40 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 195A (Tc) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IRFB3004GPBF دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRFB3004GPBF | IRFB260NPBF | IRFB3004PBF | IRFB23N20DPBF |
| سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 380W (Tc) | 380W (Tc) | 380W (Tc) | 3.8W (Ta), 170W (Tc) |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 195A (Tc) | 56A (Tc) | 195A (Tc) | 24A (Tc) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 40 V | 200 V | 40 V | 200 V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 1.75mOhm @ 195A, 10V | 40mOhm @ 34A, 10V | 1.75mOhm @ 195A, 10V | 100mOhm @ 14A, 10V |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±30V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5.5V @ 250µA |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| سلسله | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 240 nC @ 10 V | 220 nC @ 10 V | 240 nC @ 10 V | 86 nC @ 10 V |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 9200 pF @ 25 V | 4220 pF @ 25 V | 9200 pF @ 25 V | 1960 pF @ 25 V |
بارگیری داده های IRFB3004GPBF PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IRFB3004GPBF - Infineon Technologies بارگیری کنید.
IRFB3006GIRIRFB3006IRIRFB260NPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 56A TO220ABIRFB3004PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 195A TO220ABIRFB260NIRIRFB23N20DPBFInternational RectifierSMPS HEXFET POWER MOSFETIRFB3004PBF MOSIRIRFB23N20DInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 24A TO220ABIRFB3077GIRIRFB23N15DIRIRFB23N50DIRIRFB3004GIRIRFB3006PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 195A TO220ABIRFB3077IRIRFB23N15DPBFInternational RectifierIRFB23N15 - SMPS HEXFET POWER MOIRFB3006GPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 195A TO220ABIRFB3077GPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 120A TO220ABIRFB3004Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.