مشخصات فناوری IRF7910PBF
مشخصات فنی Infineon Technologies - IRF7910PBF ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IRF7910PBF
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2V @ 250µA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SO | |
| سلسله | HEXFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 15mOhm @ 8A, 4.5V | |
| قدرت - حداکثر | 2W | |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1730pF @ 6V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 26nC @ 4.5V | |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 12V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 10A | |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Dual) | |
| شماره محصول پایه | IRF7910 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IRF7910PBF دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRF7910PBF | IRF7907PBF | IRF7910TRPBF | IRF7907TRPBF |
| سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| سلسله | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 15mOhm @ 8A, 4.5V | 16.4mOhm @ 9.1A, 10V | 15mOhm @ 8A, 4.5V | 16.4mOhm @ 9.1A, 10V |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2V @ 250µA | 2.35V @ 25µA | 2V @ 250µA | 2.35V @ 25µA |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 10A | 9.1A, 11A | 10A | 9.1A, 11A |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 1730pF @ 6V | 850pF @ 15V | 1730pF @ 6V | 850pF @ 15V |
| پیکر بندی | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 12V | 30V | 12V | 30V |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 26nC @ 4.5V | 10nC @ 4.5V | 26nC @ 4.5V | 10nC @ 4.5V |
| قدرت - حداکثر | 2W | 2W | 2W | 2W |
| شماره محصول پایه | IRF7910 | IRF7907 | IRF7910 | IRF7907 |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
بارگیری داده های IRF7910PBF PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IRF7910PBF - Infineon Technologies بارگیری کنید.
IRF7907TRPBF.IRIRF7910TRPBF.IRIRF7910IRIRF7NA2907SCVIRIRF7910TRPBF MOSIRIRF7907PBF MOSIRIRF7923IRIRF7907PBF-1IRIRF7907TRPBF MOSIRIRF7907PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SOICIRF7907TRIRIRF7910PBF MOSIRIRF7N1405SCVIRIRF7910TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOICIRF7907 MOSIRIRF7907TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SOIRF7910TR MOSIR
IRF7946TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 90A DIRECTFET MX| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.