مشخصات فناوری IRF7353D2TRPBF
مشخصات فنی Infineon Technologies - IRF7353D2TRPBF ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - IRF7353D2TRPBF
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Infineon Technologies | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±20V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SO | |
| سلسله | FETKY™ | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 29mOhm @ 5.8A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 2W (Ta) | |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 650 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 33 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | Schottky Diode (Isolated) | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 6.5A (Ta) |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies IRF7353D2TRPBF دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | IRF7353D2TRPBF | IRF7353D1TRPBF | IRF7353D2 | IRF7353D2TR |
| سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | IR |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | 8-SO | 8-SO | 8-SO | - |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 30 V | 30 V | 30 V | - |
| سلسله | FETKY™ | FETKY™ | FETKY™ | - |
| VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 29mOhm @ 5.8A, 10V | 32mOhm @ 5.8A, 10V | 29mOhm @ 5.8A, 10V | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 2W (Ta) | 2W (Ta) | 2W (Ta) | - |
| FET ویژگی | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) | Schottky Diode (Isolated) | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | - |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 33 nC @ 10 V | 33 nC @ 10 V | 33 nC @ 10 V | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 650 pF @ 25 V | 650 pF @ 25 V | 650 pF @ 25 V | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 6.5A (Ta) | 6.5A (Ta) | 6.5A (Ta) | - |
| بسته بندی / مورد | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - |
بارگیری داده های IRF7353D2TRPBF PDF و مستندات Infineon Technologies را برای IRF7353D2TRPBF - Infineon Technologies بارگیری کنید.
IRF7353D2TRIRIRF7353D1TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIRF7353D2TRPBF MOSIRIRF7379PBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 8-SOICIRF7353D1TRPBF.IRIRF7353D1TRPBF MOSIRIRF7379ITRPBFVBSEMIIRF7379Infineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 8-SOICIRF7353D2QTRPBF.IRIRF7353TRPBFIRIRF7353D1TR MOSIRFIRF7353TRIRIRF7353D2QTRPBFIRIRF7379 MOSIRIRF7353TRPBF.IRIRF7353D2TR MOSIRIRF7353D2TRPBF.IRIRF7353D2Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.