مشخصات فناوری BSC900N20NS3GATMA1
مشخصات فنی Infineon Technologies - BSC900N20NS3GATMA1 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه Infineon Technologies - BSC900N20NS3GATMA1
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
سازنده | Infineon Technologies | |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 30µA | |
VGS (حداکثر) | ±20V | |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
کننده بسته بندی دستگاه | PG-TDSON-8-5 | |
سلسله | OptiMOS™ | |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 90mOhm @ 7.6A, 10V | |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 62.5W (Tc) | |
بسته بندی / مورد | 8-PowerTDFN | |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
---|---|---|
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 920 pF @ 100 V | |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 11.6 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET ویژگی | - | |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 15.2A (Tc) | |
شماره محصول پایه | BSC900 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با Infineon Technologies BSC900N20NS3GATMA1 دارند.
ویژگی محصول | ![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
---|---|---|---|---|
شماره قطعه | BSC900N20NS3GATMA1 | BSC889N03MSG | BSC886N03LSG | BSC889N03LSG |
سازنده | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 920 pF @ 100 V | 1500 pF @ 15 V | 2100 pF @ 15 V | 1300 pF @ 15 V |
بسته بندی / مورد | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | 30 V | 30 V | 30 V |
VGS (حداکثر) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Bulk |
سلسله | OptiMOS™ | OptiMOS™ 3 | OptiMOS™3 | OptiMOS™ 3 |
اتلاف قدرت (حداکثر) | 62.5W (Tc) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) | 2.5W (Ta), 39W (Tc) | 2.5W (Ta), 28W (Tc) |
FET ویژگی | - | - | - | - |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 11.6 nC @ 10 V | 20 nC @ 10 V | 26 nC @ 10 V | 16 nC @ 10 V |
تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
شماره محصول پایه | BSC900 | - | - | - |
کننده بسته بندی دستگاه | PG-TDSON-8-5 | PG-TSDSON-8 | PG-TDSON-8 | PG-TDSON-8 |
درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 30µA | 2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 15.2A (Tc) | 12A (Ta), 44A (Tc) | 13A (Ta), 65A (Tc) | 13A (Ta), 45A (Tc) |
RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 90mOhm @ 7.6A, 10V | 9.1mOhm @ 30A, 10V | 6mOhm @ 30A, 10V | 9mOhm @ 30A, 10V |
دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
بارگیری داده های BSC900N20NS3GATMA1 PDF و مستندات Infineon Technologies را برای BSC900N20NS3GATMA1 - Infineon Technologies بارگیری کنید.
مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
---|---|---|
منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
آمریکا | ایالات متحده | 5 |
برزیل | 7 | |
اروپا | آلمان | 5 |
انگلستان | 4 | |
ایتالیا | 5 | |
اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
نیوزیلند | 5 | |
آسیا | هندوستان | 4 |
ژاپن | 4 | |
خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
---|---|
هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.