مشخصات فناوری NTD3055L104-1G
مشخصات فنی onsemi - NTD3055L104-1G ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - NTD3055L104-1G
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±15V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | I-PAK | |
| سلسله | - | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 104mOhm @ 6A, 5V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 1.5W (Ta), 48W (Tj) | |
| بسته بندی / مورد | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 440 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 20 nC @ 5 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 5V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 12A (Ta) | |
| شماره محصول پایه | NTD3055 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi NTD3055L104-1G دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | NTD3055L104-1G | NTD3055L104 | NTD3055L170-001 | NTD3055L170T4 |
| سازنده | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 104mOhm @ 6A, 5V | 104mOhm @ 6A, 5V | 170mOhm @ 4.5A, 5V | - |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 20 nC @ 5 V | 20 nC @ 5 V | 10 nC @ 5 V | - |
| شماره محصول پایه | NTD3055 | NTD30 | NTD30 | NTD30 |
| سلسله | - | - | - | - |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 12A (Ta) | 12A (Ta) | 9A (Ta) | - |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 5V | 5V | 5V | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | 60 V | 60 V | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | - |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| کننده بسته بندی دستگاه | I-PAK | DPAK | I-PAK | - |
| VGS (حداکثر) | ±15V | ±15V | ±15V | - |
| بسته بندی / مورد | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | - |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 440 pF @ 25 V | 440 pF @ 25 V | 275 pF @ 25 V | - |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 1.5W (Ta), 48W (Tj) | 1.5W (Ta), 48W (Tj) | 1.5W (Ta), 28.5W (Tj) | - |
بارگیری داده های NTD3055L104-1G PDF و مستندات onsemi را برای NTD3055L104-1G - onsemi بارگیری کنید.
NTD3055GAMI Semiconductor/onsemiNTD3055-170T4GAMI Semiconductor/onsemiNTD3055L104onsemiMOSFET N-CH 60V 12A DPAKNTD3055LAMI Semiconductor/onsemiNTD3055L104G MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD3055L170-001onsemiMOSFET N-CH 60V 9A IPAKNTD3055L170T4onsemiMOSFET N-CH 60V 9A DPAKNTD3055L104GonsemiMOSFET N-CH 60V 12A DPAKNTD3055L170onsemiMOSFET N-CH 60V 9A DPAKNTD30555L104T4GAMI Semiconductor/onsemiNTD3055-150T4GonsemiMOSFET N-CH 60V 9A DPAKNTD3055L-170T4GAMI Semiconductor/onsemiNTD3055-150T4 MOSAMI Semiconductor/onsemiNTD3055-150T4onsemiMOSFET N-CH 60V 9A DPAKNTD3055L170GonsemiMOSFET N-CH 60V 9A DPAKNTD3055L104T4AMI Semiconductor/onsemiNTD3055L170-1GonsemiMOSFET N-CH 60V 9A IPAKNTD3055L104T4GonsemiMOSFET N-CH 60V 12A DPAK| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.