مشخصات فناوری HGTP12N60C3D
مشخصات فنی onsemi - HGTP12N60C3D ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - HGTP12N60C3D
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| ولتاژ - گردآورنده امیتر تفکیک (حداکثر) | 600 V | |
| VCE (در) (حداکثر) @ VGE، آی سی | 2.2V @ 15V, 15A | |
| شرایط آزمایشی | - | |
| TD (روشن / خاموش) @ 25 ° C | - | |
| سوئیچینگ انرژی | 380µJ (on), 900µJ (off) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | |
| سلسله | - | |
| معکوس بازیابی زمان (TRR) | 40 ns | |
| قدرت - حداکثر | 104 W |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube | |
| دمای عملیاتی | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| نوع ورودی | Standard | |
| نوع IGBT | - | |
| گیت | 48 nC | |
| در حال حاضر - گردآورنده پالس (ICM) | 96 A | |
| در حال حاضر - گردآورنده (IC) (حداکثر) | 24 A | |
| شماره محصول پایه | HGTP12N60 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi HGTP12N60C3D دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | HGTP12N60C3D | HGTP12N60C3D | HGTP14N36G3VL | HGTP12N60A4D |
| سازنده | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| قدرت - حداکثر | 104 W | 104 W | 100 W | 167 W |
| در حال حاضر - گردآورنده پالس (ICM) | 96 A | 96 A | - | 96 A |
| در حال حاضر - گردآورنده (IC) (حداکثر) | 24 A | 24 A | 18 A | 54 A |
| گیت | 48 nC | 48 nC | 24 nC | 78 nC |
| سلسله | - | - | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220AB | TO-220-3 |
| TD (روشن / خاموش) @ 25 ° C | - | - | - | 17ns/96ns |
| نوع ورودی | Standard | Standard | Logic | Standard |
| سوئیچینگ انرژی | 380µJ (on), 900µJ (off) | 380µJ (on), 900µJ (off) | - | 55µJ (on), 50µJ (off) |
| شرایط آزمایشی | - | - | - | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
| VCE (در) (حداکثر) @ VGE، آی سی | 2.2V @ 15V, 15A | 2.2V @ 15V, 15A | 2.2V @ 5V, 14A | 2.7V @ 15V, 12A |
| بسته بندی کردن | Tube | Bulk | Bulk | Bulk |
| معکوس بازیابی زمان (TRR) | 40 ns | 40 ns | - | 30 ns |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| نوع IGBT | - | - | Trench | - |
| ولتاژ - گردآورنده امیتر تفکیک (حداکثر) | 600 V | 600 V | 390 V | 600 V |
| دمای عملیاتی | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| شماره محصول پایه | HGTP12N60 | - | - | - |
بارگیری داده های HGTP12N60C3D PDF و مستندات onsemi را برای HGTP12N60C3D - onsemi بارگیری کنید.
HGTP14N40F3VLFairchild (onsemi)HGTP2N120BNDFairchild (onsemi)HGTP1N120BNDFairchild (onsemi)HGTP12N60C3DFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTP20N60C3Fairchild (onsemi)HGTP14N41G3Fairchild (onsemi)HGTP1N120CNDFairchild (onsemi)
HGTP12N60A4Harris CorporationHGTP12N60 - 24A, 600V, RUGGED, UHGTP14N36G3VLFairchild SemiconductorInsulated Gate Bipolar TransistoHGTP12N60A4DFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTP12N60A4Fairchild SemiconductorUFS SERIES N-CH IGBTHGTP20N60A4onsemiIGBT 600V 70A TO220-3HGTP20N60B3HARRIS
HGTP12N60B3DIntersil (Renesas Electronics Corporation)HGTP12N60A4DonsemiIGBT 600V 54A TO220-3HGTP12N60A4onsemiIGBT 600V 54A 167W TO220ABHGTP12N60A4 12N60A4FSCHGTP12N60C3onsemiIGBT 600V 24A 104W TO220AB| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.