مشخصات فناوری FQAF65N06
مشخصات فنی onsemi - FQAF65N06 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - FQAF65N06
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±25V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-3PF | |
| سلسله | QFET® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 16mOhm @ 24.5A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 86W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-3P-3 Full Pack | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 2410 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 65 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 49A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | FQAF6 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi FQAF65N06 دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FQAF65N06 | FQAF9P25 | FQAF40N25 | FQAF9P25 |
| سازنده | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 86W (Tc) | 70W (Tc) | 108W (Tc) | 70W (Tc) |
| شماره محصول پایه | FQAF6 | FQAF9 | - | - |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 16mOhm @ 24.5A, 10V | 620mOhm @ 3.55A, 10V | 70mOhm @ 12A, 10V | 620mOhm @ 3.55A, 10V |
| سلسله | QFET® | QFET® | QFET® | QFET® |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| VGS (حداکثر) | ±25V | ±30V | ±30V | ±30V |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 60 V | 250 V | 250 V | 250 V |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 2410 pF @ 25 V | 1180 pF @ 25 V | 4000 pF @ 25 V | 1180 pF @ 25 V |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 49A (Tc) | 7.1A (Tc) | 24A (Tc) | 7.1A (Tc) |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Tube | Tube |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-3PF | TO-3PF | TO-3PF | TO-3PF |
| بسته بندی / مورد | TO-3P-3 Full Pack | TO-3P-3 Full Pack | TO-3P-3 Full Pack | TO-3P-3 Full Pack |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| نوع FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 65 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V |
بارگیری داده های FQAF65N06 PDF و مستندات onsemi را برای FQAF65N06 - onsemi بارگیری کنید.
FQAF9P25onsemiMOSFET P-CH 250V 7.1A TO3PF
FQAF34N20FSCFQAF40N25Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 250V 24A TO3PFFQAF85N06Fairchild (onsemi)FQAF48N20Fairchild (onsemi)FQAF9P25Fairchild SemiconductorMOSFET P-CH 250V 7.1A TO3PFFQAF34N20 MOSFairchild (onsemi)FQAF7N90Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 900V 5.2A TO3PFFQAF7N90onsemiMOSFET N-CH 900V 5.2A TO3PFFQAF90N08onsemiMOSFET N-CH 80V 56A TO3PFFQAF5N90Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 900V 4.1A TO3PFFQAF5N90onsemiMOSFET N-CH 900V 4.1A TO3PFFQAF33N10L MOSFairchild (onsemi)FQAF33N10 MOSFairchild (onsemi)FQAF90N08Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 80V 56A TO3PFFQAF65N06 MOSFairchild (onsemi)FQAF47P06 MOSFairchild (onsemi)FQAF40N25onsemiMOSFET N-CH 250V 24A TO3PF| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.