مشخصات فناوری FDP61N20
مشخصات فنی onsemi - FDP61N20 ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - FDP61N20
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | |
| VGS (حداکثر) | ±30V | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | |
| سلسله | UniFET™ | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 41mOhm @ 30.5A, 10V | |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 417W (Tc) | |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | |
| بسته بندی کردن | Tube |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3380 pF @ 25 V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 75 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET ویژگی | - | |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 61A (Tc) | |
| شماره محصول پایه | FDP61 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi FDP61N20 دارند.
| ویژگی محصول |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FDP61N20 | FDP6670AL | FDP6676 | FDP65N06 |
| سازنده | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| سلسله | UniFET™ | PowerTrench® | PowerTrench® | UniFET™ |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 3380 pF @ 25 V | 2440 pF @ 15 V | 5324 pF @ 15 V | 2170 pF @ 25 V |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| شماره محصول پایه | FDP61 | FDP66 | - | FDP65 |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 75 nC @ 10 V | 33 nC @ 5 V | 60 nC @ 5 V | 43 nC @ 10 V |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -65°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 5V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| اتلاف قدرت (حداکثر) | 417W (Tc) | 68W (Tc) | 93W (Tc) | 135W (Tc) |
| FET ویژگی | - | - | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 61A (Tc) | 80A (Ta) | 84A (Ta) | 65A (Tc) |
| بسته بندی کردن | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 200 V | 30 V | 30 V | 60 V |
| بسته بندی / مورد | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| VGS (حداکثر) | ±30V | ±20V | ±16V | ±20V |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 41mOhm @ 30.5A, 10V | 6.5mOhm @ 40A, 10V | 6mOhm @ 42A, 10V | 16mOhm @ 32.5A, 10V |
| درایو های ولتاژ (حداکثر RDS در، حداقل RDS در) | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 10V |
بارگیری داده های FDP61N20 PDF و مستندات onsemi را برای FDP61N20 - onsemi بارگیری کنید.
FDP6670ALonsemiMOSFET N-CH 30V 80A TO220-3FDP6676Fairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDP65N06onsemiMOSFET N-CH 60V 65A TO220-3FDP6035ALonsemiMOSFET N-CH 30V 48A TO220-3FDP6030L MOSFairchild (onsemi)FDP6030LonsemiMOSFET N-CH 30V 48A TO220-3FDP603DBLFairchild (onsemi)FDP6035ALFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 48A TO220-3FDP6670AL MOSFairchild (onsemi)FDP6030LFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 48A TO220-3FDP6670ALFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 80A TO220-3FDP6035LFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDP61N20Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6FDP6N40CFairchild (onsemi)FDP6688Fairchild (onsemi)FDP603ALFairchild (onsemi)FDP61N20 MOSFairchild (onsemi)FDP6035AL MOSFairchild (onsemi)| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.