مشخصات فناوری FDD3510H
مشخصات فنی onsemi - FDD3510H ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه onsemi - FDD3510H
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | onsemi | |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-252 (DPAK) | |
| سلسله | PowerTrench® | |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 80mOhm @ 4.3A, 10V | |
| قدرت - حداکثر | 1.3W | |
| بسته بندی / مورد | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 800pF @ 40V | |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 18nC @ 10V | |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 80V | |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 4.3A, 2.8A | |
| پیکر بندی | N and P-Channel, Common Drain | |
| شماره محصول پایه | FDD3510 |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با onsemi FDD3510H دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | FDD3510H | FDD26AN06AO | FDD26AN06A0 | FDD3670 |
| سازنده | onsemi | Fairchild (onsemi) | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| شماره محصول پایه | FDD3510 | - | FDD26 | - |
| تکنولوژی | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS در (حداکثر) @ ID، VGS | 80mOhm @ 4.3A, 10V | - | 26mOhm @ 36A, 10V | 32mOhm @ 7.3A, 10V |
| پیکر بندی | N and P-Channel, Common Drain | - | - | - |
| VGS (TH) (حداکثر) @ ID | 4V @ 250µA | - | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| FET ویژگی | Logic Level Gate | - | - | - |
| کننده بسته بندی دستگاه | TO-252 (DPAK) | - | TO-252AA | TO-252, (D-Pak) |
| گیت (g Q را) (حداکثر) @ VGS | 18nC @ 10V | - | 17 nC @ 10 V | 80 nC @ 10 V |
| قدرت - حداکثر | 1.3W | - | - | - |
| تخلیه به منبع ولتاژ (VDSS) | 80V | - | 60 V | 100 V |
| بسته بندی کردن | Tape & Reel (TR) | - | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| کنونی - تخلیه مداوم (ID) @ 25 ° C | 4.3A, 2.8A | - | 7A (Ta), 36A (Tc) | 34A (Ta) |
| بسته بندی / مورد | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD | - | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | - | Surface Mount | Surface Mount |
| خازن ورودی (CISS) (حداکثر) @ VDS | 800pF @ 40V | - | 800 pF @ 25 V | 2490 pF @ 50 V |
| سلسله | PowerTrench® | - | PowerTrench® | PowerTrench® |
| دمای عملیاتی | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
بارگیری داده های FDD3510H PDF و مستندات onsemi را برای FDD3510H - onsemi بارگیری کنید.
FDD26AN06AOFairchild (onsemi)FDD26AN06A0onsemiMOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AAFDD3670Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDD26AN06A0-F085ONsemiFDD3570Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 80V 10A TO252FDD3580Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 80V 7.7A DPAKFDD3510H MOSFairchild (onsemi)FDD3570onsemiMOSFET N-CH 80V 10A TO252FDD26AN06A0Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AAFDD3570 MOSFairchild (onsemi)FDD3580onsemiMOSFET N-CH 80V 7.7A D-PAKFDD306P MOSFairchild (onsemi)FDD26AN06_F085Fairchild (onsemi)FDD3580 MOSFairchild (onsemi)FDD306PonsemiMOSFET P-CH 12V 6.7A TO252FDD2741BFairchild (onsemi)FDD2N80Fairchild (onsemi)FDD3670onsemiMOSFET N-CH 100V 34A TO252| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.